IRF 510

L'IRF510 est le plus petit de la famille IRF5xx. C'est un MOSFET de puissance à canal N de la gamme HEXFET® d'International Rectifier (IR) / Vishay. Compact et économique, il est idéal pour les applications à faible puissance nécessitant une commutation rapide. Sa faible capacité de grille le rend particulièrement adapté aux circuits RF et aux alimentations haute fréquence.
Le IRF510 agit comme un interrupteur commandé par tension :
Une tension appliquée sur la Gate (Grille) contrôle le courant entre :
Drain (D)
Source (S)
La commande nécessite peu de courant.

Caractéristiques 
Type MOSFET canal N
Tension Drain-Source (VDSS)  100 V
Courant de Drain continu (ID)  5.6 A
Courant de Drain pulsé (IDM)  22 A
Tension Grille-Source (VGS)  ±20 V
Puissance dissipée (PD)  43 W
RDS(on) max  0.54 Ω
Tension de seuil (VGS(th))  2 V à 4 V
Température jonction max (Tj)  175°C
Boîtier  TO-220AB