Tansistor mosfet 2N7000

Le 2N7000 est un transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de type N-channel, largement utilisé dans des applications de commutation et d'amplification en électronique. Ce composant est apprécié pour sa facilité d'utilisation et ses bonnes performances en termes de commutation rapide et de faible résistance à l'état passant. Il est polyvalent et efficace pour de nombreuses applications de commutation et d'amplification dans les projets électroniques. Sa facilité d'utilisation, combinée à ses caractéristiques de performance, en fait un choix populaire pour les concepteurs de circuits.

Caractéristiques :

- Type : MOSFET N-channel
- Tension Drain-Source (Vds) : 60V maximum
- Courant Drain (Id) : 200mA maximum.
- Tension Gate-Source (Vgs) : ±20V maximum
- Résistance à l'état passant (Rds(on)) : environ 5 ohms à Vgs = 10V.
- Boîtier : TO-92

Applications :

- Commutation
- Amplification
- Circuits de Protection